技术编号:11136497
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括多阈值电压(Vt)晶体管的场效应晶体管(FET)结构以及制造该FET结构的方法。背景技术多阈值电压IC器件通常被用在半导体集成电路(IC)工业中来优化延迟或功率。多阈值电压IC器件可以包括多个不同的器件,每一个都具有不同的阈值电压(即,工作电压)。例如,多阈值电压IC器件可以包括低阈值电压器件和高阈值电压器件。实现不同阈值电压器件的一种方法包括沟道和晕环注入优化。这实施重注入来实现更大的阈值电压器件,并且分离用于每一个期望的阈值电压的掩模。注意到,更重的注入工艺可以引起迁移率劣化和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。