技术编号:11136498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于信息存储技术领域,尤其涉及一种NAND存储器的形成方法,以及一种NAND存储器结构及其形成方法,和三维NAND存储器阵列。背景技术NAND存储器技术不断发展,其存储性能不断提高,很多相关技术不断提出新的结构方案。其中,BiCS(BitCostScalable)技术为“平面栅垂直沟道”和“先栅后沟道”工艺,参照相关文献,例如,[1]、H.Tanakaetal.,BitCostScalableTechnologywithPunchandPlugProcessforUltraHighDens...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。