技术编号:11136512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及半导体领域,更具体地,涉及封装件及其形成方法。背景技术根据传统封装技术的一个方面,诸如晶圆级封装(WLP)、再分布层(RDL)可以形成在管芯上方以及电连接至管芯中的有源器件。然后可以形成诸如位于凸块下金属层(UBM)上的焊料球的外部输入/输出(I/O)焊盘焊盘,以通过RDL电连接至管芯。这种封装技术的一个优势是使形成扇出式封装成为可能。因此,管芯上的I/O焊盘可以再分布至比管芯相比更大的面积,因此,可以增加封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。在这样的封装技术中,可以在管芯周围形成...
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