技术编号:11136539
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种带有电容器的半导体器件。背景技术电容、电阻等被动元件(PassiveCircuitElement)被广泛应用于集成电路制作技术中,这些器件通常采用标准的集成电路工艺,利用掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成,比如多晶硅-介质膜-多晶硅(PIP,Poly-Insulator-Poly)电容。由于这些器件比较接近硅衬底,器件与衬底间的寄生电容使得器件的性能受到影响,尤其在射频(RF)CMOS电路中,随着频率的上升,器件的性能下降很快。金属-绝缘体-...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。