技术编号：11136557
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种整流器件及其制备方法。背景技术半导体二极管具有正向导通、反向阻断的特性，广泛应用于诸如电源、信号处理等各类电子电路中。对于特定类型的二极管器件，正向偏置电压在达到某特定值(正向导通压降，又称正向压降)之前其正向电流基本可忽略不计。传统的整流二极管主要有PN结二极管和肖特基二极管两类。PN结二极管正向压降VF较大，反向恢复时间Trr较长，但是PN结二极管的稳定性较好，能在高电压下工作；肖特基二极管是以贵金属(如金、银、钛等)与半导体接触，以形成异质结势垒而制成...
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