技术编号：11136581
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体领域，更具体地涉及图像传感器及其制造方法。背景技术半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。然而，虽然现有的半导体制造工艺对于它们的预期目的通常已经足够，但是随着器件继续按比例缩小，它们不是在所有方面都完全令人满意。发明内容本发明的实施例提供了一种图像传感器结构，包括：第一衬底，包括第一辐射感测区域；...
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