技术编号：11136613
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种高压LDMOS器件及其制作方法。背景技术高压LDMOS器件(LateralDiffusedMOSFET，横向扩散金属氧化物半导体)具有工作电压高、工艺相对简单、开关频率高等特性，并且所述高压LDMOS器件的漏极、源极及栅极均位于其表面，易于与低压CMOS(ComplenentaryMetalOxideSemiconductor，互补型金属氧化物半导体)及BJT(BipolarJunctionTransistor，双极晶体管)等器件在工艺上相兼容，特别是在A...
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