技术编号：11136614
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种功率半导体器件终端结构。背景技术场限环技术是现代功率半导体器件(如IGBT)终端结构所常用的一种技术。采用场限环可以减小pn结曲面弯曲造成的电场集中，提高器件的击穿电压。目前常用的场限环技术是通过在功率半导体器件的终端区域引入一个或多个与硅衬底掺杂类型相反但杂质浓度远高于衬底的环形区域(通常称之为场限环)，使器件在承受反向偏压时耗尽层扩展至这些环形区域发生穿通，从而延展器件终端区域的耗尽层，这样减小终端区域的电场集中，进而获得更高的击穿电压。但是，场限...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。