技术编号:11136624
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件及其制造方法相关申请交叉引用将2015年6月10日提交的日本专利申请No.2015-117796,包括说明书、附图以及摘要的公开内容整体并入本文作为参考。技术领域本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,且可特别适用于包括IE型IGBT的半导体器件。背景技术例如,在日本未审专利申请公布No.2013-140885中,公开了IE型沟槽栅IGBT,其包括具有线性有源单元区的第一线性单位单元区,具有线性空穴集电区的第二线性单位单元区,以及它们之间的线性无源单元区。而且,在日本未审专利申请公布No...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。