技术编号:11136637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于半导体装置的堆叠件及其形成方法本专利申请要求于2015年8月3日提交的第62/200,335号美国临时专利申请以及于2016年3月30日提交的第15/086,015号美国非临时专利申请的优先权权益,上述申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域本公开涉及半导体装置。更具体地,本公开涉及一种形成在下层上的纳米线和/或纳米片的堆叠件,所述下层具有与在纳米片和/或纳米线的堆叠件被允许连贯地弛豫时堆叠件将具有的晶格参数基本上相匹配的晶格参数。背景技术发生应变了的半导体材料可以在诸如场效应晶体管(F...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。