技术编号：11136644
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种隔离型LDMOS结构及其制造方法。背景技术LDMOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET)是一种常用的半导体器件，具有高功率增益、高效率及低成本等优点，在半导体技术中使用相当广泛。为提高LDMOS击穿电压，增大输出功率，通常采用增加漂移区长度和降低漂移区掺杂浓度的方法，这将导致器件比导通电阻增加，增大功耗。自RESURF技术和槽隔离技术提出以来，Single-RESURFLDMOS、DoubleRESURFLDMOS、TripleRES...
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