技术编号：11136655
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及新能源电池领域，具体地说，特别涉及到一种新型晶体硅太阳能电池结构及其制造工艺。背景技术参见图1，常规的晶体硅太阳电池是把单晶硅片在扩散炉里扩散形成大面积PN结，形成的电池主体结构。这种常规晶体硅电池的主体是一个由扩散形成的PN结，光生电动势由PN结产生，而电流由单晶硅片吸收太阳光产生电子空穴对，分别被光生电动势拉到两极产生光生电流。因此可见光在到达吸收层之前必须经过窗口层也就是P层，因为这一层是重掺杂层，而且要形成一定的电势差，P层必须具有一定的厚度，这样P层势必造成一定的太阳光损失，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。