技术编号:11136672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种优化后段光通道工艺来降低CIS暗电流的方法。背景技术CIS(CMOSImageSensor,CMOS图像传感器)产品光电二极管上方的非SiO2层(包括NDC和SIN)通常会被去除来降低入射光因为不同材料之间的折射而产生的耗损,但另外一方面,失去SiCN(NDC,NitrogenDopedsiliconCarbide)或SIN的保护,H离子容易溢出使得SiO2/Si界面态不能得到修复,并最终产生暗电流。如何保留致密层使得H离子不会溢出以改善暗电流...
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