技术编号:11136721
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种倒装LED芯片的制作方法,尤其是一种PECVD(等离子体增强化学气相沉积法PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)沉积DBR的倒装LED芯片的制作方法,属于LED芯片制造技术领域。背景技术现在LED市场竞争异常激烈,对LED芯片的性能要求在不断提高,目前国内外LED倒装芯片用DBR做绝缘层和反射层,LED芯片上整层DBR增加了反射面积,在不影响芯片其他性能的同时对亮度提升很明显;DBR(distributedBraggreflection)又叫分...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。