技术编号:11136723
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种GaN基半导体器件的外延结构,尤其是一种具有电磁波防护结构的GaN基半导体器件的外延结构,属于半导体芯片制造技术领域。背景技术GaN材料及器件近年来成为研究的热点,尤其是GaN基半导体器件,而许多GaN基半导体器件工作于电磁辐射环境中。长久以来,电磁波对半导体器件的辐射效应并没有引起人们足够的重视。实验证明,GaN基半导体器件经过一定强度的电磁波辐射后,其参数会发生漂移,早期失效时间缩短。这些变化都会影响半导体器件的使用可靠性,特别是一些敏感器件在高强度的电磁辐射环境中工作时,这种...
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