技术编号:11136930
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于锂电池材料及其制造技术领域,特别涉及一种高比容量石墨烯/硅/c-PAN/人造石墨混合锂电池负极材料制造技术方法。背景技术硅材料具有较高的理论比容量(4200mAh/g),脱嵌锂电位低,自然界存在丰富,成为下一代负极材料的研究热点。但是,硅材料在脱嵌锂过程中,体积膨胀超过300%,造成电极粉化、崩塌,造成电池容量下降。制备循环性能好、比容量高的改性硅负极,为产业化应用提供了可能。目前,硅材料的改性工作主要集中在纳米化、合金化、表面包覆改性等。发明专利CN102522534A公开了一种高比...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。