技术编号：11139
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本实用新型公开了基于SOI工艺的背栅源漏半浮前栅MOSFET射频开关低损耗器件，将SOI MOS器件源漏区都进行改造，将源漏区的结深设置略小于顶层硅厚度即沟道区(12)或者深沟槽隔离区(4-1、4-2)的厚度，源漏区的结深设置略小于顶层硅厚度，形成寄生二极管；通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通状态，前栅MOSFET漏源区交流信号会耦合到背栅MOSFET上，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低，...
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