技术编号:11142530
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例属于半导体器件和处理的领域,具体而言,属于自对准栅极边缘和局部互连结构以及制造自对准栅极边缘和局部互连结构的方法的领域。背景技术过去几十年中,集成电路中部件的规模缩小是日益增长的半导体工业背后的驱动力。到越来越小的部件的规模缩小实现了功能单元在半导体芯片的有限基板面上增大的密度。例如,缩小晶体管尺寸允许在芯片上包含增大数量的存储器或逻辑器件,导致制造出具有增大容量的产品。然而,对于更大容量的推动并非没有问题。优化每一个器件的性能的必要性变得日益显著。在集成电路器件的制造中,随着器件...
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