技术编号:11146718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子电路设计领域,特别涉及一种高电平选择电路和电子系统。背景技术在电子电路设计中,MOS管是最常见的电子器件之一。其中,在电子系统中,例如芯片中,PMOS的衬底需要耦接至芯片的最高电位。所述最高电位可以通过在芯片中选取两个相对较高的电压,采用高电平选择电路在二者中选择出较高的电压作为所述最高电位。图1是现有技术中的一种高电平选择电路的电路图。如图1所示,高电平选择电路100在第一电压V1和第二电压V2中选择出较高的一个作为高电位电压VH并传输至芯片内部的所有PMOS管的衬底。其中,所述...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。