技术编号：11147588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氧化物半导体材料生长方法,尤其涉及一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜方法。背景技术二氧化钒是一种具有独特性质的过渡金属氧化物，在340K左右会出现绝缘体向金属态的热致相变。二氧化钒的这种相变不仅可以通过加温来实现，通过其他诸如光照，加电场等方式都有可能引发。具有热致相变特性的二氧化钒薄膜在激光防护、超快开关和红外热成像方面具有潜在的应用价值，因而二氧化钒薄膜被形象的称为“智能薄膜”。一般二氧化钒薄膜材料制备方法主要有真空蒸镀法、溅射法、化学气相沉积法、物理气相沉积和脉冲激光沉...
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