技术编号:11147597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于PVT法生长碳化硅晶体的碳化硅晶体生长设备。背景技术碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质,可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件,在国防、高科技、工业生产、供电、变电领域有巨大的应用价值,被看作是极具发展前景的第三代宽禁带半导体材料。但是,生长碳化硅晶体非常困难,经过多年努力,现以美国Gree公司为代表的实验室已成功用物理气相传输法(PVT)生长出大直径的高质量碳化硅单晶并制成外延基片...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。