技术编号：11147782
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功能材料制备技术领域，尤其是涉及一种Li掺杂NiO有序纳米管气敏材料及其制备方法。背景技术近年来，用于检测有毒和易燃气体的半导体氧化物气敏传感器具有高敏感，快速响应和恢复，稳定性好以及低成本等优点。常见的半导体氧化物有SnO2、TiO2、ZnO等，而NiO作为一种宽带隙p型半导体材料，其独特的电学、磁学、催化特性和气敏特性，得到人们的重视。NiO禁带宽度在3.7eV以上，化学计量比的NiO是Mott-Hubbard型绝缘体，其室温电导率小于l0-13S/cm，当材料中存在Ni2+空位或...
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