技术编号：11152935
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及二维微纳器件技术领域，特别是涉及一种小周期纳米阵列结构的制备方法背景技术随着电子器件以及光学器件的发展，小周期的纳米阵列结构已经越来越多的用到所使用的器件中。例如在光学材料中，光学超材料的响应频率与所用超材料结构的线度与周期直接相关。光学超材料的响应频率越高，其对应的超材料线度和周期就要越小，如果要得到可见光波段的超材料，结构周期需要控制在500纳米以下。在制作电子器件时，越小的电子器件提供的集成度越高。而且当前对集成度要求越来越高，现有技术中已经有各种方式来提高集成度，例如通过制备三...
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