技术编号:11159508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及减除设备和方法。实施例涉及用于处理包含固体颗粒(诸如,例如SiO2)以及酸性气体(诸如HCI)的流出物流的减除设备。背景技术气体处理设备是已知的。这种设备用于处理外延沉积过程引起的流出物气体。外延沉积过程越来越多地用于高速半导体装置,其用于硅半导体应用和化合物半导体应用。外延层是仔细生长的单晶硅薄膜。外延沉积在氢气氛中在高温(通常为约800℃至1100℃)和真空条件下使用硅源气体,该硅源气体通常是硅烷或者氯硅烷化合物中的一种,诸如,三氯硅烷或者二氯硅烷。外延沉积过程通常根据需要掺有少量...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。