技术编号:11161314
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。实施方式涉及非易失性半导体存储器。背景技术在非易失性半导体存储器中,写入差错(writeerror)和读出时的误写入(readdisturb)的折衷选择变成问题。例如,在作为非易失性半导体存储器之一的磁随机存取存储器中,与作为存储器单元的磁阻效应元件的特性提高相应地存在写入电流降低的倾向。另一方面,读出电流需要比写入电流小,但为了实现高速传感,无法充分地减小其值。其结果,存在写入电流与读出电流之间的电流差(余量)变小这样的现状。另外,非易失性半导体存储器一般具有存储器单元阵列内的多个存储器单元分...
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