技术编号:11161318
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于电流节省和快速编程的适应性选择性位线预充电背景技术本技术涉及存储器装置中的编程操作。半导体存储器变得越来越流行地用于各种电子装置中。例如,非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置及其他装置。闪存存储器是非易失性半导体存储器中最流行的类型。通过闪存存储器,可以在一个步骤中擦除整个存储器阵列的内容。例如,二维NAND存储器是一个类型的闪存存储器,其中浮置栅极位于半导体基板的沟道区之上并与其绝缘。浮置栅极位于源极和漏极区之间。控制栅极设置在浮置栅极之上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。