技术编号：11161536
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子设备，并且特别地，涉及能够抑制光电二极管的电荷传输特性变劣的固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子设备。背景技术在现有技术中，因为像素尺寸的小型化方面的进步，所以在互补金属氧化物半导体(CMOS；complementarymetaloxidesemiconductor)图像传感器中更多地采用了像素共用的技术(像素共用技术)，以便使光电二极管(PD；photodiode)的开口率最大化。所述像素共用技术是一种通过让多个像素之间共用晶体管从而使除了...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。