技术编号:11161571
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的示例性实施例涉及一种发光装置,并且更具体地涉及一种具有高电流扩散效率以在发光效率和可靠性方面提供良好性质的发光装置。背景技术通常,诸如发光二极管的发光装置包括供应电子的n型半导体层、供应空穴的p型半导体层以及插置在n型半导体层与p型半导体层之间的活性层。n型和p型电极分别形成在n型半导体层和p型半导体层上,以接收来自外部电源的电功率。另一方面,基于氮化物半导体的p型半导体层相比n型半导体层具有较低的导电率。因此,电流不会在p型半导体层中有效地扩散,由此导致半导体层的某个区域中产生电流拥挤...
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