技术编号:11161581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管(LED)倒装芯片装置。背景技术常规蓝紫外光(UV)或近UVLED形成于生长衬底上。在一个实例中,LED是基于GaN的LED,例如AlInGaNLED。通常,相对厚n型GaN层使用常规外延生长技术而生长于蓝宝石或SiC生长衬底上。相对厚GaN层通常包含低温成核层及一或多个额外层以为n型包覆层及有源层提供低缺陷晶格结构。一或多个n型包覆层然后形成于厚n型层上方,随后是有源层、一或多个p型包覆层及p型接触层(用于金属化)。各种技术用于提供对LED的阳极及阴极的电接达。LED装置历...
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