技术编号:11161932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于控制高侧开关元件的转换速率的电路,具体涉及n沟道功率金属氧化物半导体场效晶体管。背景技术诸如功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)以及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)之类的功率半导体器件可被用作用于使负载开关的开关元件(或“开关”)。驱动器电路用于向功率半导体器件的栅极施加信号,以便使设备在OFF(关闭)和ON(开启)状态之间切换。可控制设备的开关速度(在本文被称为“转换速率”)以便足够快地减少功率损耗,但是足够慢以避免可能引起放射电磁干扰的高频瞬变。图1是用于使负载Z开关的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。