技术编号:11172322
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例涉及一种半导体设备以及半导体设备的阻抗调节方法。背景技术在半导体制作工艺中,半导体设备是一种常用的形成各种半导体膜层和导体膜层的工具。例如,在发光二极管(LightEmittingDiode,LED)的制作工艺中,可采用半导体设备形成位于蓝宝石基底和n型氮化镓(n-GaN)氮化铝(ALN)薄膜,从而提高该LED的电性能,包括亮度、静电释放性能等。在通常的半导体设备中,溅射电源通过电极引入工艺腔室后耦合到工艺气体中,从而激发气体为等离子体,在等离子体中电子和离子作用下,完成薄膜沉积。...
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