技术编号:11172486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及III族氮化物半导体及制造方法。背景技术以往,已知使用ScAlMgO4基板的GaN系激光元件的制造方法(例如参照专利文献1)。ScAlMgO4与GaN的晶格常数的失配(不匹配率(GaN的晶格常数-ScAlMgO4的晶格常数)/GaN的晶格常数))为-1.9%,与蓝宝石基板的不匹配率(+16%)相比较小。因此,若将ScAlMgO4基板作为种基板,使GaN结晶生长,则可以得到与蓝宝石基板相比缺陷密度少的GaN结晶。专利文献1中示出了,在ScAlMgO4基板上以600℃左右的低温形成无定形或...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。