技术编号:11179200
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术,尤其涉及一种氮化镓场效应晶体管及其制造方法。背景技术氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料,由于其具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀和抗辐射的性能,其应用在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势,被认为是短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料,尤其是氮化镓MISFET(Metal-Insulator-SemiconductorFieldEffectTransistor,金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)已经成为...
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