技术编号:11179208
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体器件的制造工艺技术领域,尤其涉及一种具有垂直结构的氮化镓场效应晶体管器件的制作方法。背景技术随着对功率转换电路需求的日益增加,具有低功耗、高速度等特性的功率器件已成为本领域的关注焦点。氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料,由于其具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场,较高热导率,耐腐蚀和抗辐射性能,在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势,被认为是短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。并且,随着近年来研究的深入,GaN场效应晶体管已成为功...
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