技术编号:11179217
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体技术领域,特别涉及半导体技术领域中的用于高电压晶体管的方法。背景技术由于多种电子组件的集成密度的改进,半导体工业已经历迅速成长。随着半导体技术进一步演进,金属氧化物半导体(MOS)晶体管已广泛用于当今的集成电路中。MOS晶体管是电压控制式装置。当将控制电压施加到MOS晶体管的栅极且所述控制电压大于MOS晶体管的阈值时,在MOS晶体管的漏极与源极之间建立导电沟道。因此,电流在MOS晶体管的漏极与源极之间流动。另一方面,当所述控制电压小于MOS晶体管的阈值时,MOS晶体管相应地...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。