技术编号：11179223
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种散热增益型半导体组件及其制作方法，尤指一种散热增益型半导体组件，其将半导体元件嵌埋于散热座中，并电性连接至两步骤形成的增层电路。背景技术为了整合行动、通讯以及运算功能，半导体封装产业面临极大的散热、电性、缩小芯片面积(form-factor)以及可靠度挑战。尽管在文献中已报导许多将半导体芯片嵌埋于线路板或模封材料中的构型，但仍然存在许多性能不足的问题。举例来说，美国专利案号No.8,742,589、8,735,222、8,679,963、8,453,323中所揭露的组件，因为其中...
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