技术编号:11179291
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于铁电存储技术领域,具体涉及一种非挥发铁电存储器及其操作方法。背景技术铁电材料具有较高的自发极化强度可应用于铁电随机存储器FRAM(FerroelectricRandomAccessMemory),铁电非挥发存储器是利用铁电电畴是否翻转,是否与体材料形成导电通道来存储逻辑信息(“1”和“0”),通过是否有导电通道来读取存储的逻辑信息是“1”还是“0”,有导电通道为逻辑信息“1”,没有导电通道为逻辑信息“0”。非挥发铁电存储器是根据铁电畴的反转来存储信息,铁电畴的反转速度可高达0.2ns,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。