技术编号:11179352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。AlGaN/GaNMIS-HEMT的制作方法技术领域本发明实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种AlGaN/GaNMIS-HEMT的制作方法。背景技术随着高效完备的功率转换电路和系统需求的日益增加,具有低功耗和高速特性的功率器件最近吸引了很多关注。氮化镓GaN是第三代宽禁带半导体材料,由于其具有大禁带宽度(3.4eV)、高电子饱和速率(2e7cm/s)、高击穿电场(1e10--3e10V/cm),较高热导率,耐腐蚀和抗辐射性能,在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势,被认为是研究...
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