技术编号:11179358
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种半导体器件及制造方法。背景技术随着高效完备的功率转换电路和系统需求的日益增加,具有低功耗和高速特性的功率器件最近吸引了很多关注。氮化镓(GaN)作为一种第三代宽禁带半导体材料,由于其具有大禁带宽度(3.4eV)、高电子饱和速率(2×107cm/s)、高击穿电场(1×1010--3×1010V/cm),较高热导率,耐腐蚀和抗辐射性能,在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势,被认为是研究短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。尤其是G...
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