技术编号:11179395
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,属于属于光电探测器器件制造工艺技术领域。背景技术CdZnTe晶体是直接带隙的II-VI族化合物半导体,可以看作是由CdTe和ZnTe的固溶成。CdZnTe禁带宽度可随着Zn含量的不同而从1.45eV到2.2eV变化,在室温下使用可以省去昂贵、复杂的冷却系统,可以降低整个系统的成本。CdZnTe的电阻率高因此在高温下也能有较小的漏电流,并且CdZnTe的极化效应比CdTe晶体要低很多,辐射探测衰减现象比CdTe弱,有利于探测。此外CdZn...
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