技术编号：11179411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种新型光电位置敏感传感器。背景技术位置敏感传感器是利用半导体的横向光电效应的光电转换器件。它具有位置分辨率高、测试精度高、响应速度快、光敏面连续、无盲区等优点,在精密测距和定位上得到了广泛的应用。传统的位置敏感传感器使用非晶硅等无机材料薄膜作为激活介质层，制备工艺复杂，成本高，器件兼容性能较差。另一方面，降低器件的制备成本的同时提高位置敏感传感器的响应度和带宽等特性参数对于提高位置敏感传感器的器件性能至关重要，有利于位置敏感传感器的产业化。发明内容为了解决背景...
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