技术编号：11180499
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型的实施例和制造方法涉及存储器装置。背景技术诸如氧化物基的直接存取存储器(OxRAM)、电解式存储器(CBRAM)或铁磁存储器(FRAM)的阻变式存储器(RRAM)具有许多优点和特性，尤其是非常短的读写时间、低工作电压、低功耗、易于集成、几乎无限大的耐久性以及潜在非常高的密度。RRAM阻变式存储器通常包括能够存储一个字节的存储节点，其中存储节点在存储平面中以矩阵阵列的方式分布在多个行和列中。存储节点通过横贯存储平面的多个行的字线和横贯存储平面的多个列的位线来进行存取。在RRAM阻变式存储...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。