技术编号：11193395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种改善石墨烯薄膜导电性能方法，特别涉及一种改善常压化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜导电性能的方法。本发明利用常压氢气气氛下对基底进行热处理从而改善石墨烯薄膜导电性能的方法。背景技术石墨烯是每个碳原子中的2s\2py\2px轨道中价电子经过sp2杂化后堆叠而形成的六角形蜂巢状结构的片层材料，从化学稳定性、柔韧性、导电性、透明性、导热性以及原料成本方面考虑，石墨烯被认为是最有前途的透明导电薄膜的材料，在光电器件领域有着优异的前景。此外，对于锂离子电池方面的应用，大规模工业化生产单层或少层石...
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