技术编号：11200031
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学干法蚀刻方法和半导体器件的形成方法。背景技术在半导体制造领域，蚀刻工艺是一种有选择性的去除材料的工艺过程。蚀刻工艺主要分为干法蚀刻和湿法蚀刻这两种。其中，干法蚀刻是亚微米、深亚微米尺寸下蚀刻器件的最主要方法，其是把晶圆表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过晶圆上被图形化的掩模中开出的窗口，与硅片发生反应，从而去除暴露的表面材料。具体地，干法蚀刻又分为三种：物理性蚀刻、化学性蚀刻和物理化学性蚀刻。其中：物理性蚀刻又称为溅射蚀刻，一般利用惰性气体在...
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