技术编号：11202919
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种含InGaN插入层的增强型GaN_HEMT制备方法，属于集成电路制造领域。背景技术GaN材料以其较宽的禁带宽度使其为基底的GaNHEMT器件具备高的击穿电压、高的电流密度、低的导通电阻，是现代电力传输系统的核心器件。GaNHEMT作为电力电子器件的首要条件是增强型工作模式，但是由于AlGaN、GaN异质结的特性，在材料生长完成后沟道中具备高浓度二维电子气，使之成为天然的耗尽型器件。要实现GaNHEMT从耗尽型到增强型的转变，常规的方法主要有栅极区域的氟离子注入，栅极刻蚀，P型GaN...
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