技术编号:11202968
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于半导体工艺,特别有关于一种具有较好高度均匀性(heightuniformity)的沟槽隔离结构的制造方法。背景技术半导体装置的隔离结构一般用来将主动区内的半导体元件例如电晶体、电阻器和电容器与位于相同的半导体基底上的相邻主动区内的半导体元件分隔开来。目前,常用的隔离结构包含沟槽隔离结构,其中相邻的主动区通过在垂直形成于半导体基底内的沟槽中填入的隔离介电质(isolationdielectric)互相电性隔离,隔离介电质通常由二氧化硅(SiO2)制成。沟槽依据隔离区所需的图案形成于基底...
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