技术编号:11203141
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制备领域,具体是一种用于功率MOSFET器件的变掺杂半导体材料片及其制造方法。背景技术在高掺杂衬底材料片上生长低掺杂外延层形成的半导体材料片是制作功率MOSFET和智能高压功率集成电路的基础。高掺杂衬底一方面作为承载功率MOSFET和智能高压功率集成电路的载体,另一方面可以降低功率MOSFET的导通电阻和抑制智能高压功率集成电路存在的寄生效应(特别是闭锁效应)。为了最大限度地降低成本,常规制作功率MOSFET和智能高压功率集成电路的半导体材料片直接在高掺杂衬底材料片上通过外延...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。