一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法与流程技术资料下载

技术编号:11203302

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本发明涉及硅基有机发光器件领域,尤其涉及一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法。背景技术在现有的硅基有机发光的器件结构中,底电极一般为三层或五层结构,通常为钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构,如授权公告号为“CN102629667B”发明名称为“硅基顶发射有机发光微显示器件及其制备方法”中公开了这种结构,其公开的技术方案中,连接底电极的通孔设置在底电极中间,容易造成底电极表面或侧面不平整,如图1所示。另外,五层垂直的底电极结构总体高度较高,在底电极上铺设有机发光层时,也容易形成不平和褶...
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