技术编号：11209890
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏材料技术领域，尤其是涉及一种去除高纯氯硅烷痕量杂质的装置和方法。背景技术目前多晶硅企业生产光伏材料多晶硅最广泛的方法，是以高纯氯硅烷做为原料，将液相氯硅烷通过汽化器升温气化后与氢气一同通入还原炉，在还原炉中，氯硅烷与氢气在高温硅芯表面发生还原反应，沉积形成多晶硅棒。氯硅烷的纯度对多晶硅的质量起着至关重要的作用。在氯硅烷分解沉积过程中，其所含的磷、硼等杂质是多晶硅的主要污染源。因此，要想提高多晶硅纯度，就必须将氯硅烷中的磷、硼等杂质降到尽可能低的水平。现有技术多晶硅厂或者生产氯硅烷的...
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