技术编号:11213937
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域,具体为集成电路抗辐射加固领域中的抗单粒子翻转效应的存储单元设计领域。背景技术随着我国国防和航空航天事业的不断发展,对集成电路存储器可靠性的要求也越来越高,特别是在充满辐射粒子的宇宙环境中。然而辐射粒子将更容易使得存储器存储的信息翻转,降低了存储器的可靠性,因此,需要对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。发明内容本发明是为了解决辐射粒子使得存储器存储的信息翻转,从而降低存储器可靠性的问题,本发明提供了一种抗辐射存储单元。抗辐射存储单元,包括4个PMOS晶体管和12个NMOS晶...
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